N960-M80

工業級專屬韌體 海量資料 TB 級大容量 原廠高耐用 3D TLC 內建 DRAM 緩存晶片 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 支援 TRIM 指令 支援 AES256 bit 硬體加密/支援 TCG OPAL 安全規範

DDR5 CSO-DIMM

全新世代高速 CKD-6400 工業級記憶體 抗硫化耐用型儲存產品專利技術(台灣新型專利：M611951) 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 DRAM IC 分級技術 符合 ROHS/CE/FCC 規範

N640-M80

工業級專屬韌體 工業級高耐用 3D TLC 支援 SLC Caching 技術，大幅提升運算效 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 全區平均抹寫技術(Global Wear Leveling) 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 支援 TRIM 指令 支援 TCG Opal 2.0 / AES 256 位元硬體加密

DDR5 CU-DIMM

全新世代高速 CKD-6400 工業級記憶體 抗硫化耐用型儲存產品專利技術(台灣新型專利：M611951) 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 DRAM IC 分級技術 符合 ROHS/CE/FCC 規範

N75A-M80 / N75G-M80

具備專利式散熱效能 工業級頂規高耐用 3D TLC 內建 DRAM 緩存晶片 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 支援 TCG Opal 2.0 / AES 256 位元硬體加密 專利石墨烯銅散熱技術-N75G 美國發明專利 (證書號：US 110,513,92 B2) 台灣發明專利 (證書號：I703921) 中國新型專利 (證書號：CN 211019739 U) 專利鋁鰭片散熱技術-N75A 台灣新型專利(證書號: M541645)

N430-M80

PCIe Gen3 x4,支援最新 NVMe 1.3協定 DRAM-less 優異的資料傳輸速度 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援動態熱能管理機制 支援 S.M.A.R.T.

DDR5 SO-DIMM

全新世代高速工業級記憶體 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 作業溫度範圍：0°C ~ 95°C(Tc) 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

N540-M80

PCIe Gen3 x4,支援最新 NVMe 1.3 協定 優異的資料傳輸速度 10K P/E Cycles 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援動態熱能管理機制 支援 S.M.A.R.T 輕薄散熱解決方案(可選)

DDR5 U-DIMM

全新世代高速工業級記憶體 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 作業溫度範圍：0°C ~ 95°C(Tc) 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)  

N522-M80

PCIe Gen3 x4,支援最新 NVMe 1.3 協定 優異的資料傳輸速度 3K P/E Cycles 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援動態熱能管理機制 支援 S.M.A.R.T. 輕薄散熱解決方案(可選)

DDR4 SO-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.2V (1.26V~1.14V) 作業溫度範圍：0°C ~ 85°C (Tc) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 全面抗硫化提供最佳防護 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

T522 MSD

符合最新 SD 6.1 規範 採用 3D TLC NAND 快閃記憶體 支援 V30 影片速度等級 支援 A1 等級的應用效能標準 高達 3K 次抹寫週期耐用度(P/E Cycles) 支援 S.M.A.R.T. 裝置健康度監測功能

S740-3A

工業級高耐用 3D TLC 內建 DRAM 緩存晶片 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體(台灣發明專利: I751753) 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援 TRIM 指令 支援 TCG Opal 2.0 / AES 256 位元硬體加密(optional) 專利石墨烯銅散熱(optional) 美國發明專利 (證書號 : US11051392B2) 台灣發明專利 (證書號：I703921) 中國新型專利 (證書號：CN 211019739 U)

DDR4 U-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.2V (1.26V~1.14V) 作業溫度範圍：0°C ~ 85°C (Tc) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 全面抗硫化提供最佳防護 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)  

T822 MSD

符合最新 SD 6.1 規範 支援 V30 影片速度等級 支援 A1 等級的應用效能標準 高達 60K 次抹寫週期耐用度(P/E Cycles) 具備 LDPC ECC 自動除錯功能 具有 S.M.A.R.T. 裝置健康度監測功能

S750-3A

工業級頂規高耐用 3D TLC 內建 DRAM 緩存晶片 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 smart tool 軟體) 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援 TRIM 指令 支援 TCG Opal 2.0(寬溫系列) 支援 AES 256 位元硬體加密(寬溫系列) 專利石墨烯銅散熱(寬溫系列) 美國發明專利 (證書號 : US11051392B2) 台灣發明專利 (證書號：I703921) 中國新型專利 (證書號：CN 211019739 U) 通過軍規耐衝擊標準（MIL-STD-202G、MIL-STD-883K）及軍規耐震動標準（MIL-STD-810G）測試認證

DDR3 SO-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.35V (1.283V~1.418V) & 1.5V(1.425V~1.575V) 作業溫度範圍：0°C ~ 95°C (Tc) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

DDR5 ECC SO-DIMM

全新世代高速工業級記憶體 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範 支援 DFE 功能，提升記憶體模組安全性 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利: I751093)

DDR3 U-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.35V (1.283V~1.418V) & 1.5V(1.425V~1.575V) 作業溫度範圍：0°C ~ 95°C (Tc) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

D700 MSD

符合 SD3.0 規範 MLC 快閃記憶體 支援 U3 及 UHS-I Class 10 具有斷電保護機制 (Power fail management) 支援平均抹寫技術 (Advance wear leveling) 支援故障區塊管理技術 (Bad block management) 支援 S.M.A.R.T. 功能