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Features 解決行動數據脆弱性 一鍵觸控硬體防護 隱藏式開關與觸覺回饋 跨世代雙介面橋接 永續發展的智能設計 CAUTION 防寫功能需透過實體開關手動啟用。 產品符合 MIL-STD-810G 標準,但請避免極端環境下的故意損壞行為。 磁吸帽蓋(選配)。
具備斷電保護機制 (Power Loss Protection) 採用 112 層 3D NAND,I/O 效能提高將近 50% 內建 LDPC ECC 自動糾錯功能 符合 TCG Opal 2.0 規範與 AES-256 雙重加密 支援 SLC Caching 技術,大幅提升運算效能支援 支援 HMB 技術 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體)
核心磁區隱藏技術 金鑰密碼控制機制 跨平台兼容性 穩定耐用的管理技術 多元應用場景
核心磁區隱藏技術 金鑰密碼控制機制 跨平台兼容性 穩定耐用的管理技術 多元應用場景
一鍵按下達成資料銷毀 智能雙模式啟動銷毀 智能持續執行安全機制 安全獨立銷毀電路設計 高效及大容量設計 台灣新型專利 M662727
「單次寫入、多次讀取」技術 (Write Once Read Many, WORM) 強化資料防護的獨家設計 穩定耐用的管理技術 工業級 MLC 具備穩定性與可靠性
「單次寫入、多次讀取」技術 (Write Once Read Many, WORM) 強化資料防護的獨家設計 穩定耐用的管理技術 工業級 MLC 具備穩定性與可靠性
支援 PCIe Gen3x4 介面 / 符合新一代 M.2 規格(長度:80mm) 符合 NVMe 1.4 協定 支援 SLC Caching 技術,大幅提升運算效能支援 內建 LDPC ECC 自動糾錯功能 支援 HMB 技術 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 耐用性佳,具備 3,000 次抹寫週期,有效支援高工作負載應用
高效能 PCIe Gen4 x4 介面,支援新一代 NVMe 2.0 規範 採用 112 層 3D NAND,I/O 效能提高將近 50% (*對比 96 層 3D NAND) 耐用性佳,具備 3,000 次耐用度等級,有效支援高工作負載應用 支援 SLC Caching 技術,大幅提升運算效能支援 內建 LDPC ECC 自動糾錯功能 符合 TCG Opal 2.0 規範及 AES-256 加密 具備快閃記憶體壞區管理及動態熱能管理機制 支援 4K Page 映射技術,提高隨機存取速度 S.M.A.R.T. 功能 (十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體)
支援 PCIe Gen3 x4介面 / 符合新一代 M.2 規格(長度: 30mm) 符合 NVMe 1.4 協定 支援 SLC Caching 技術,大幅提升運算效能支援 內建 LDPC ECC 自動糾錯功能 支援 HMB 技術 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 耐用性佳,具備 3,000 次抹寫週期,有效支援高工作負載應用
支援 PCIe Gen3 x4 介面 / 符合新一代 M.2 規格(長度: 42mm) 符合 NVMe 1.4 協定 支援 SLC Caching 技術,大幅提升運算效能支援 內建 LDPC ECC 自動糾錯功能 支援 HMB 技術 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 耐用性佳,具備 3,000 次抹寫週期,有效支援高工作負載應用
採用 112 層 3D NAND,I/O 效能提高將近 50%(*對比 96 層 3D NAND) 內建 LDPC ECC 糾錯與校正機制 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 支援 NCQ 指令 支援 ATA 功能 支援 TRIM 指令 壞區管理功能 (Bad Block Management)
工業級高耐用 3D TLC 晶片 內建 DRAM 緩存晶片 支援 S.M.A.R.T. 功能 (十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 支援 TRIM 指令 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援 TCG Opal 2.0 / AES 256 位元硬體加密 (optional)
採用 112 層 3D NAND,I/O 效能提高將近 50%(*對比 96 層 3D NAND) 內建 LDPC ECC 糾錯與校正機制 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 支援 NCQ 指令 支援 ATA 功能 支援 TRIM 指令 壞區管理功能 (Bad Block Management)
採用 112 層 3D NAND,I/O 效能提高將近 50%(*對比 96 層 3D NAND) 內建 LDPC ECC 糾錯與校正機制 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 支援 NCQ 指令 支援 ATA 功能 支援 TRIM 指令 壞區管理功能 (Bad Block Management)
工業級高耐用 3D TLC 內建 DRAM 緩存晶片 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體(台灣發明專利: I751753) 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援 TRIM 指令 專利石墨烯銅散熱(optional) 美國發明專利 (證書號:US 110,513,92 B2) 台灣發明專利 (證書號:I703921) 中國新型專利 (證書號:CN 211019739 U)
符合新一代 M.2 規格 (長度: 80mm) 工業級頂規高耐用 3D TLC 內建 DRAM 緩存晶片 支援 LDPC ECC 糾錯與校正機制 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling) 支援 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 smart tool 軟體) 端對端資料保護 (End-to-End Data Protection) 支援 TRIM 指令 支援 TCG Opal 2.0(寬溫系列) 支援 AES 256 位元硬體加密(寬溫系列) 專利石墨烯銅散熱技術(寬溫系列) 美國發明專利 (證書號:US 110,513,92 B2) 台灣發明專利 (證書號:I703921) 中國新型專利 (證書號:CN 211019739 U) 通過軍規耐衝擊標準(MIL-STD-202G、MIL-STD-883K)及軍規耐震動標準(MIL-STD-810G)測試認證
全新世代高速工業級記憶體 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利:I771910;美國發明專利:US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利: I751093)
採用 112 層 3D NAND,I/O 效能提高將近 50% (*對比 96 層 3D NAND) PCIe 介面 - 支援最新 NVMe 1.3 協定 / 符合新一代 M.2 規格(長度: 80mm) 支援 SLC Caching 技術,大幅提升運算效能支援 內建 LDPC ECC 自動糾錯功能 S.M.A.R.T. 功能(十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) 耐用性佳,具備 3,000 次抹寫週期,有效支援高工作負載應用
全新世代高速工業級記憶體 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利:I771910;美國發明專利:US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利: I751093)