DDR5 ECC U-DIMM

全新世代高速工業級記憶體 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範 支援 DFE 功能，提升記憶體模組安全性 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

D700 ISD

符合 SD3.0 規範 MLC 快閃記憶體 支援 U3 及 UHS-I Class 10 具有斷電保護機制 (Power fail management) 支援平均抹寫技術 (Advance wear leveling) 支援故障區塊管理技術 (Bad block management) 支援 S.M.A.R.T. 功能

DDR5 R-DIMM

全新世代高速工業級記憶體 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範 支援 DFE 功能，提升記憶體模組安全性 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

T511 MSD

符合 SD3.0 規範 3D TLC 快閃記憶體 支援 U3 及 UHS-I Class 10 具有斷電保護機制 (Power fail management) 支援平均抹寫技術 (Advance wear leveling) 支援故障區塊管理技術 (Bad block management)

DDR4 R-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.2V (1.26V~1.14V) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 全面抗硫化提供最佳防護 高耐用 30μ 金手指 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)  

T511 ISD

符合 SD 3.0 規範 3D TLC 快閃記憶體 支援 U3 及 UHS-I Class 10 具有斷電保護機制 (Power fail management) 支援平均抹寫技術 (Advance wear leveling) 支援故障區塊管理技術 (Bad block management)

DDR4 ECC SO-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.2V (1.26V~1.14V) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 全面抗硫化提供最佳防護 高耐用 30μ 金手指 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

D900-W MSD

兼容 SD 2.0 / 3.0 規範 SLC 快閃記憶體 適用於嚴苛工業環境,耐寬溫度 -40°C ~ +85°C / 濕度 95% 以下 P/E Cycle(抹寫次數)高達 60,000 次，超高的耐用壽命 具有斷電保護機制 支援平均抹寫技術 支援故障區塊管理技術 支援 S.M.A.R.T. 功能

DDR4 ECC U-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.2V (1.26V~1.14V) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 全面抗硫化提供最佳防護 高耐用 30μ 金手指 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

D700-W MSD

符合 SD 3.0 規範 MLC 快閃記憶體 適用於嚴苛工業環境,耐寬溫度 -40°C ~ +85°C / 濕度 95% 以下 P/E Cycle(抹寫次數)高達 3,000 次，極高的耐用壽命 具有斷電保護機制 支援平均抹寫技術 支援故障區塊管理技術 支援 S.M.A.R.T. 功能

DDR3 ECC SO-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 原廠工規等級顆粒 IC 電源：VDD & VDDQ= 1.35V (1.283V~1.418V) & 1.5V (1.425V~1.575V) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)  

D500-W MSD

符合 SD 3.0 規範 3D TLC 快閃記憶體 耐工業環境溫度 -40°C ~ +85°C / 濕度 95% 以下 P/E Cycle(抹寫次數)高達 3,000 次，極高的耐用壽命 具有斷電保護機制 支援平均抹寫技術 支援故障區塊管理技術 支援 S.M.A.R.T. 功能

DDR3 ECC U-DIMM

支援錯誤偵測及更正功能(ECC) 優化效能並具有極佳穩定性 使用原廠 IC 並符合嚴格工規標準 JEDEC standard VDDQ=1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.283V~1.418V) 30μ” gold finger 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 溫度感應器 (可選) 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

D900-W ISD

兼容 SD 2.0 / 3.0 規範 SLC 快閃記憶體 適用於嚴苛工業環境,耐寬溫度 -40°C ~ +85°C / 濕度 95% 以下 P/E Cycle(抹寫次數)高達 60,000 次，超高的耐用壽命 具有斷電保護機制 支援平均抹寫技術 支援故障區塊管理技術 支援 S.M.A.R.T. 功能

DDR5 UT U-DIMM

全新世代高速工業級記憶體 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679) 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範

D700-W ISD

符合 SD 3.0 規範 MLC 快閃記憶體 適用於嚴苛工業環境,耐寬溫度 -40°C ~ +85°C / 濕度 95% 以下 P/E Cycle(抹寫次數)高達 3,000 次，極高的耐用壽命 具有斷電保護機制 支援平均抹寫技術 支援故障區塊管理技術 支援 S.M.A.R.T. 功能

DDR5 UT SO-DIMM

全新世代高速工業級記憶體 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679) 嚴選原廠工規等級 IC 全新電源管理 IC 配置 符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓 ON-Die ECC 糾錯機制 軍規等級耐衝擊及抗震 符合 ROHS / CE / FCC 規範

D500-W ISD

符合 SD 3.0 規範 3D TLC 快閃記憶體 耐工業環境溫度 -40°C ~ +85°C / 濕度 95% 以下 P/E Cycle(抹寫次數)高達 3,000 次，極高的耐用壽命 具有斷電保護機制 支援平均抹寫技術 支援故障區塊管理技術 支援 S.M.A.R.T. 功能

DDR4 UT U-DIMM

專利石墨烯散熱模組 美國發明專利 (證書號 : US11051392B2) 台灣發明專利 (證書號：I703921) 中國新型專利 (證書號：CN 211019739 U) 原廠工規等級顆粒 IC 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679) 軍規等級耐衝擊及抗震

A501-W

符合 CF 協會 CFast 2.0 規範 支援全區平均抹寫技術 支援 TRIM 指令 內建 ECC 校正機制 支援 Write Protect 防寫保護 支援 S.M.A.R.T. 健康監測功能 支援 DevSleep 模式