DDR3 ECC SO-DIMM

伺服器系列
1066 / 1333 / 1600 / 1866
  • 優化效能並具有極佳穩定性
  • 原廠工規等級顆粒IC
  • 電源:VDD & VDDQ= 1.35V (1.283V~1.418V) & 1.5V (1.425V~1.575V)
  • 無鉛產品 (符合ROHS規範)
  • 具有CE/FCC 認證
  • 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利:I771910;美國發明專利:US11439004)
  • 專利IC分級測試驗證技術(台灣發明專利:I751093;美國發明專利:US11488679)
     

工業用DDR3記憶體

十銓以領先技術發表工業用DDR3記憶體模組產品,具1.5伏特標準工作電壓與1.35伏特低工作電壓,及ECC除錯功能,經過層層嚴格把關的生產流程,依據嚴謹製造流程所生產,每條記憶體都經過嚴格測試程序與燒機驗證,且皆通過100% 測試驗證,相容性強、穩定性高、以及優異的效能表現,大幅減少產品相容性問題,並通過嚴格的電氣干擾與雜訊測試,確保每條記憶體模組不會產生電氣干擾而造成問題,達到十銓工控對產品高品質要求的承諾。 除以嚴格生產過程確保每一條記憶體的品質外,十銓科技的全系列記憶體模組產品均有終身免費保固,讓您可以安心使用,同時享有最佳保障。

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Frequency
1066 / 1333 / 1600 / 1866
Capacity
2GB / 4GB / 8GB
Pin Count
204pin
Width
72Bits
Voltage
1.5V / 1.35V
PCB Height
1.18 Inches
Standard Operating Temperature
0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
Extended Operating Temperature
-40°C (-40°F) ~ +85°C (185°F)
Shock
Operation: 50G / 11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A)
Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Vibration
Operation: 7.69 Grms, 20~2,000 Hz / random (compliant with MIL-STD-810G General)
Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)
Anti-Sulfuration
-
Gold Finger
30μ”
Value-Added Service
Conformal Coating
Warranty
Limited Lifetime
NOTES:
本公司保有修改所有樣式及規格權利,不另行通知。
 

 
 
Frequency Capacity COMPONENT
COMPOSITION
RANK Team P/N
1333 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSEW3NS
1333 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSEW3HH
1333 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSEW3HH
1600 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSEW6NS
1600 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSEW6HH
1600 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSEW6HH
1866 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSEW8NS
1866 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSEW8HH
1866 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSEW8HH
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
pdf
2023 / 01 / 07

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