DDR4 UT SO-DIMM

專利石墨烯散熱模組 美國發明專利 (證書號 : US11051392B2) 台灣發明專利 (證書號：I703921) 中國新型專利 (證書號：CN 211019739 U) 原廠工規等級顆粒 IC 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679) 軍規等級耐衝擊及抗震

A501

符合 CF 協會 CFast 2.0 規範 支援全區平均抹寫技術 支援 TRIM 指令 內建 ECC 校正機制 支援 Write Protect 防寫保護 支援 S.M.A.R.T. 健康監測功能 支援 DevSleep 模式

DDR3 UT U-DIMM

優化效能並具有極佳穩定性 使用原廠 IC 並符合嚴格工規標準 JEDEC standard VDDQ= 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.283V~1.418V) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 30μ” gold finger 溫度感應器 (可選) 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)

F900

支援 S.M.A.R.T. 支援除錯校正系統 優異的資料傳輸速度 抗震機械化設計

DDR3 UT SO-DIMM

小型記憶體模組節省使用空間 優化效能並具有極佳穩定性 使用原廠 IC 並符合嚴格工規標準 JEDEC standard VDDQ=1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.283V~1.418V) 無鉛產品 (符合 ROHS 規範) 具有 CE / FCC 認證 30μ” gold finger 溫度感應器 (可選) 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004) 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)