DDR3 UT SO-DIMM
寬溫/極寬溫系列
1066 / 1333 / 1600 / 1866
- 小型記憶體模組節省使用空間
- 優化效能並具有極佳穩定性
- 使用原廠 IC 並符合嚴格工規標準
- JEDEC standard VDDQ=1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.283V~1.418V)
- 無鉛產品 (符合 ROHS 規範)
- 具有 CE / FCC 認證
- 30μ” gold finger
- 溫度感應器 (可選)
- 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004)
- 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)
工業用 DDR3 記憶體
十銓以領先技術發表工業用 DDR3 記憶體模組產品，具 1.5 伏特標準工作電壓與 1.35 伏特低工作電壓，並提供寬溫系列，可運行於 -40°C ~ 85°C 工作溫度，經過層層嚴格把關的生產流程，依據嚴謹製造流程所生產，每條記憶體都經過嚴格測試程序與燒機驗證，且皆通過 100% 測試驗證，相容性強、穩定性高、以及優異的效能表現，大幅減少產品相容性問題，並通過嚴格的電氣干擾與雜訊測試，確保每條記憶體模組不會產生電氣干擾而造成問題，達到十銓工控對產品高品質要求的承諾。 除以嚴格生產過程確保每一條記憶體的品質外，十銓科技的全系列記憶體模組產品均有終身免費保固，讓您可以安心使用，同時享有最佳保障。
Frequency
1066 / 1333 / 1600 / 1866
Capacity
2GB / 4GB / 8GB
Pin Count
204pin
Width
64Bits
Voltage
1.5V / 1.35V
PCB Height
1.18 Inches
Ultra Operating Temperature
-40°C(-40°F) ~ +105°C(+221°F) (Ta)
Shock
"Operation: 50G / 11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A) Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)"
Vibration
"Operation: 7.69 Grms, 20~2,000 Hz / random (compliant with MIL-STD-810G General) Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)"
Anti-Sulfuration
-
Gold Finger
3μ”
Value-Added Service
Conformal Coating / Graphene Heatsink
Warranty
Limited Lifetime
NOTES：
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
| Frequency | Capacity | COMPONENT COMPOSITION |
RANK | Team P/N |
|---|---|---|---|---|
| 1333 | 2GB | 256Mx8 | 1RX8 | TE2GKSXW3NS-V |
| 1333 | 4GB | 512Mx8 | 1RX8 | TE4GKSXW3HH-V |
| 1333 | 8GB | 512Mx8 | 2RX8 | TE8GKSXW3HH-V |
| 1600 | 2GB | 256Mx8 | 1RX8 | TE2GKSXW6NS-V |
| 1600 | 4GB | 512Mx8 | 1RX8 | TE4GKSXW6HH-V |
| 1600 | 8GB | 512Mx8 | 2RX8 | TE8GKSXW6HH-V |
| 1866 | 2GB | 256Mx8 | 1RX8 | TE2GKSXW8NS-V |
| 1866 | 4GB | 512Mx8 | 1RX8 | TE4GKSXW8HH-V |
| 1866 | 8GB | 512Mx8 | 2RX8 | TE8GKSXW8HH-V |
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
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