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最新BICS系列 112 層快閃記憶體
採用最新一代BICS 3D NAND技術，可堆疊高達112層快閃記憶體，相較於以往3D NAND 96層堆疊 ，每單位儲存容量更提高了40% ，可達到最佳成本。新架構設計也挹注更高效能，使其 I/O 效能較3D NAND 96層提高達將近 50%。可降低讀取延遲，讓儲存效益提高和資料保護功能皆顯著提升。
PCIe介面 - 支援最新 NVMe 1.3協定/符合新一代M.2規格(長度: 80mm)
N745-M80採用高速NVMe 1.3協定搭載PCIe Gen 3x4傳輸通道，循序讀寫速度可達2,100及1,700MB/s，傳輸速度超越SATA 6Gb/s介面3倍以上。並採用M.2 2280規格尺寸的外型設計，符合輕薄型工業裝置及行動運算系統的理想選擇。
支援SLC Caching技術，大幅提升運算效能
使用「SLC direct to TLC 技術」，將SSD區塊分區，劃分指定區塊模擬城SLC，指定區塊的速度可獲的提高，有助於增強工業用SSD的效能。
S.M.A.R.T. 功能 (十銓專屬開發S.M.A.R.T. Tool軟體) (台灣發明專利: I751753)
使用者能輕易監控產品的健康狀況並優化效能。主要功能為磁碟資訊、系統資訊及讀寫數據效能測試。透過此軟體，能隨時查看所使用的工業用SSD產品的運作狀態。
Interface
PCIe Gen3x4
Flash Type
3D TLC
Capacity
128GB / 256GB / 512GB / 1T
Sequential R/W
R/W: 2,100 / 1,700MB/s (Max.)
Max. Power consumption
3.3V x 775mA
Dimension
80.0(L) x 22.0(W) x 3.5(H) mm
Shock
Operation: 50G / 11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A)
Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Vibration
Operation: 7.69 Grms, 20~2,000 Hz / random (compliant with MIL-STD-810G General)
Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)
Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)
MTBF
> 3 million hours
Storage Temperature
-55°C (-67°F) ~ +95°C (203°F)
Operation Temperature
Standard Temp.: 0°C (32°F) ~ +70°C (158°F)
Wide Temp: -40°C(-40°F) ~ +85°C(185°F)
Wide Temp: -40°C(-40°F) ~ +85°C(185°F)
Humidity
5% ~ 95%
P/E Cycle
3K P/E Cycles
Thermal Sensor
✓
External DRAM Buffer
×
TRIM
✓
S.M.A.R.T.
✓
Warranty
3-year limited warranty
NOTES：
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
| Capacity | Team P/N |
|---|---|
| Standard Temp. | |
| 128GB | TE128GN745KM80 |
| 256GB | TE256GN745KM80 |
| 512GB | TE512GN745KM80 |
| 1TB | TE1TN745KM80 |
| Wide Temp. | |
| 128GB | TE128GN745KM80-W |
| 256GB | TE256GN745KM80-W |
| 512GB | TE512GN745KM80-W |
| 1TB | TE1TN745KM80-W |
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類型
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