DDR3 SO-DIMM

嵌入式系統系列
1333 / 1600 / 1866
  • 優化效能並具有極佳穩定性
  • 原廠工規等級顆粒IC
  • 電源:VDD & VDDQ= 1.35V (1.283V~1.418V) & 1.5V(1.425V~1.575V)
  • 作業溫度範圍:0°C ~ 95°C (Tc)
  • 無鉛產品 (符合ROHS規範)
  • 具有CE/FCC 認證
  • 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利:I771910;美國發明專利:US11439004)
  • 專利IC分級測試驗證技術(台灣發明專利:I751093;美國發明專利:US11488679)

工業用DDR3記憶體

十銓科技TEAMGROUP工規DDR3 SO-DIMM(Small Outline)記憶體模組設計皆符合JEDEC協會標準,大量應用於小型工業電腦與嵌入式系統。十銓工業級記憶體模組皆使用高品質原廠DRAM IC,並經過嚴格測試,確保產品具高相容性及高穩定性。

proIns_img02
Frequency
1333 / 1600 / 1866
Capacity
2GB / 4GB / 8GB
Pin Count
204pin
Width
64Bits
Voltage
1.5V / 1.35V
PCB Height
1.18 Inches
Standard Operating Temperature
0°C (32°F) ~ 95°C (203°F) (Tc)
Extended Operating Temperature
-
Shock
Operation: 50G / 11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A) Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Vibration
Operation: 7.69 Grms, 20~2,000 Hz / random (compliant with MIL-STD-810G General) Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)
Anti-Sulfuration
-
Gold Finger
3μ”
Value-Added Service
Conformal Coating
Warranty
Limited Lifetime
NOTES:
本公司保有修改所有樣式及規格權利,不另行通知。
 

 
 
Frequency Capacity COMPONENT
COMPOSITION
RANK Team P/N
1333 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSXW3NS
1333 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSXW3HH
1333 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSXW3HH
1600 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSXW6NS
1600 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSXW6HH
1600 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSXW6HH
1866 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSXW8NS
1866 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSXW8HH
1866 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSXW8HH
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
pdf
2023 / 01 / 04

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