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全新世代高速 CKD-6400 MHZ 工業級記憶體
工業級 DDR5-6400MHz 透過時脈驅動（CKD）元件，大幅提升記憶體效能與穩定性。
抗硫化耐用型儲存產品專利技術(台灣新型專利：M611951)
本產品系列具備耐用型記憶體儲存裝置的技術，藉由結合抗硫化抗高壓被動元件以及多層印刷電路板，可適應各種新世代工業產品戶外應用環境，並提升產品的使用壽命。
全新電源管理IC配置 有效控制系統電源負載
將電源管理功能從主機板移至記憶體上，可更有效率地讓電壓維持穩定的狀態、提高記憶體的可靠度和性能，最佳化訊號的完整性和抗干擾能力。
符合 JEDEC 規範低功耗 1.1V 電壓
DDR5 系列工業記憶體模組僅需 1.1 伏特工作電壓，可降低功耗並減少發熱量，特別適用於低功耗與散熱不易的工控系統。
ON-Die ECC 糾錯機制系統更穩定
內建 On-die ECC 糾錯機制，提供絕佳的穩定性與可靠度。
DRAM IC 分級技術
IC 分流技術盡可提高產品可靠度與穩定性，適合使用工業環境。
Frequency
6400
Capacity
8GB / 16GB / 24GB / 32GB / 48GB
Pin Count
288 pin
Width
64 bits
Voltage
1.1V
PCB Height
1.23 Inches
Standard Operating Temperature
0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) (Ta +70°C / Tc +85°C)
Extended Operating Temperature
0°C (32°F) ~ 85°C (185°F) (TC +95°C)
Shock
• Operation: 50G/11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A )
• Non-operation: 1500G/0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
• Non-operation: 1500G/0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Vibration
• Operation: 7.69 Grms, 20~2000 Hz/random (compliant with MIL-STD-810G General)
• Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2000 Hz/sine (compliant with MIL-STD-810G General)
• Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2000 Hz/sine (compliant with MIL-STD-810G General)
Anti-Sulfuration
• 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利：I771910；美國發明專利：US11439004)
• 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)
• 專利 IC 分級測試驗證技術(台灣發明專利：I751093；美國發明專利：US11488679)
Gold Finger
3u / 30u
Value-Added Service
Conformal Coating
Warranty
Limited Lifetime
NOTES：
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
| Frequency | Capacity | COMPONENT COMPOSITION |
RANK | Team P/N |
|---|---|---|---|---|
| 6400 | 8GB | 1Gx16 | 1RX16 | TE8GFLXV3AH |
| 6400 | 16GB | 2Gx8 | 1RX8 | TE16GFLXV3MH |
| 6400 | 24GB | 3Gx8 | 1RX8 | TE24GFLXV3TH |
| 6400 | 32GB | 2Gx8 | 2RX8 | TE32GFLXV3MH |
| 6400 | 48GB | 3Gx8 | 2RX8 | TE48GFLXV3TH |
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
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