最新 BICS 系列 112 層快閃記憶體
採用最新一代 BICS 3D NAND 技術,可堆疊高達 112 層快閃記憶體,相較於以往 3D NAND 96 層堆疊 ,每單位儲存容量更提高了 40% ,可達到最佳成本。新架構設計也挹注更高效能,使其 I/O 效能較 3D NAND 96 層提高達將近 50%。可降低讀取延遲,讓儲存效益提高和資料保護功能皆顯著提升。

PCIe 介面 - 支援最新 NVMe 1.3 協定 / 符合新一代 M.2 規格(長度: 80mm)
N745-M80 採用高速 NVMe 1.3 協定搭載 PCIe Gen3 x4 傳輸通道,循序讀寫速度可達 2,100 及 1,700MB/s,傳輸速度超越 SATA 6Gb/s 介面 3 倍以上。並採用 M.2 2280 規格尺寸的外型設計,符合輕薄型工業裝置及行動運算系統的理想選擇。

支援 SLC Caching 技術,大幅提升運算效能
使用「SLC direct to TLC 技術」,將 SSD 區塊分區,劃分指定區塊模擬城 SLC,指定區塊的速度可獲的提高,有助於增強工業用 SSD 的效能。

S.M.A.R.T. 功能 (十銓專屬開發 S.M.A.R.T. Tool 軟體) (台灣發明專利: I751753)
使用者能輕易監控產品的健康狀況並優化效能。主要功能為磁碟資訊、系統資訊及讀寫數據效能測試。透過此軟體,能隨時查看所使用的工業用 SSD 產品的運作狀態。


Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)
Wide Temp.: -40°C(-40°F) ~ +85°C(+185°F)
本公司保有修改所有樣式及規格權利,不另行通知。
| Capacity | Team P/N |
|---|---|
| Standard Temp. | |
| 128GB | TE128GN745KM80 |
| 256GB | TE256GN745KM80 |
| 512GB | TE512GN745KM80 |
| 1TB | TE1TN745KM80 |
| Wide Temp. | |
| 128GB | TE128GN745KM80-W |
| 256GB | TE256GN745KM80-W |
| 512GB | TE512GN745KM80-W |
| 1TB | TE1TN745KM80-W |
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