DDR3 UT SO-DIMM

寬溫/極寬溫系列
1066 / 1333 / 1600 / 1866
  • 小型記憶體模組節省使用空間
  • 優化效能並具有極佳穩定性
  • 使用原廠IC並符合嚴格工規標準
  • JEDEC standard VDDQ=1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.283V~1.418V)
  • 無鉛產品 (符合ROHS規範)
  • 具有CE/FCC 認證
  • 30μ” gold finger
  • 溫度感應器 (可選)
  • 耐用型儲存產品專利技術(台灣發明專利:I771910;美國發明專利:US11439004)
  • 專利IC分級測試驗證技術(台灣發明專利:I751093;美國發明專利:US11488679)

工業用DDR3記憶體

十銓以領先技術發表工業用DDR3記憶體模組產品,具1.5伏特標準工作電壓與1.35伏特低工作電壓,並提供寬溫系列,可運行於-40°C ~ 85°C工作溫度,經過層層嚴格把關的生產流程,依據嚴謹製造流程所生產,每條記憶體都經過嚴格測試程序與燒機驗證,且皆通過100% 測試驗證,相容性強、穩定性高、以及優異的效能表現,大幅減少產品相容性問題,並通過嚴格的電氣干擾與雜訊測試,確保每條記憶體模組不會產生電氣干擾而造成問題,達到十銓工控對產品高品質要求的承諾。 除以嚴格生產過程確保每一條記憶體的品質外,十銓科技的全系列記憶體模組產品均有終身免費保固,讓您可以安心使用,同時享有最佳保障。

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Frequency
1066 / 1333 / 1600 / 1866
Capacity
2GB / 4GB / 8GB
Pin Count
204pin
Width
64Bits
Voltage
1.5V / 1.35V
PCB Height
1.18 Inches
Ultra Operating Temperature
-40°C (-40°F) ~ +105°C (+221°F) (Ta)
Shock
"Operation: 50G / 11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A) Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)"
Vibration
"Operation: 7.69 Grms, 20~2,000 Hz / random (compliant with MIL-STD-810G General) Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)"
Anti-Sulfuration
-
Gold Finger
3μ”
Value-Added Service
Conformal Coating
Warranty
Limited Lifetime
NOTES:
本公司保有修改所有樣式及規格權利,不另行通知。
 

 
 
Frequency Capacity COMPONENT
COMPOSITION
RANK Team P/N
1333 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSXW3NS-V
1333 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSXW3HH-V
1333 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSXW3HH-V
1600 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSXW6NS-V
1600 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSXW6HH-V
1600 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSXW6HH-V
1866 2GB 256Mx8 1RX8 TE2GKSXW8NS-V
1866 4GB 512Mx8 1RX8 TE4GKSXW8HH-V
1866 8GB 512Mx8 2RX8 TE8GKSXW8HH-V
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
pdf
2023 / 01 / 17

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