M.2 2280 2.15mm 單面式嵌入式系統儲存解決方案
本產品採用單面設計，可最佳化空間利用率，同時提升散熱效能。非常適合小型工業設備與行動運算應用，在效能、可靠性及部署靈活性之間取得良好平衡。
支援 SLC 快取技術，大幅提升運算效率
採用 SLC Direct-to-TLC 技術，此固態硬碟運用分區區塊管理，在指定的 TLC NAND 區域內模擬 SLC 模式運作。透過加速這些區域的讀寫速度，能有效提升整體的儲存效能與反應速度。此技術特別適合用於高工作負載與即時運算環境，能顯著改善工業級固態硬碟的效能一致性與穩定性。
工業級 BiCS 系列 112 層 3D NAND 快閃記憶體
採用工業級 112 層 BiCS 3D NAND 快閃記憶體，結合了成熟的製程技術與卓越的可靠度，是嚴苛工業環境的理想選擇。即使在高工作負載與連續運作的情況下，仍能維持優異的散熱效能，有效降低讀取延遲，同時提升整體的資料存取效率與系統穩定性。
高達 3,000 次 P/E 循環的耐久度，提升可靠性
SSD 支援高達 3,000 次 P/E 循環，專為提升耐用性與長期可靠性而設計。這種強韌的設計能延長產品使用壽命、保障資料完整性，並降低維護與更換成本。
智慧型 S.M.A.R.T. 監控功能，主動進行硬碟健康管理
透過 TG-SMART 軟體，使用者可輕鬆監控固態硬碟的健康狀態並最佳化系統效能。此軟體提供全面的裝置狀態分析與即時運作資訊，能為工業級固態硬碟的部署實現主動式維護、強化系統穩定性，並提升整體的管理效率。
內建 LDPC ECC 錯誤更正機制
先進的 LDPC（低密度奇偶檢查碼）錯誤更正技術提供超越傳統 BCH ECC 的優異錯誤修復能力，能更有效地修正高位元錯誤率。此技術專為高密度 TLC NAND 快閃記憶體進行最佳化，不僅能強化資料完整性、將資料遺失的風險降至最低，更有助於最大化 NAND 快閃記憶體的耐久度與使用壽命。
Interface
SATA III M.2 2280
Flash Type
3D TLC
Capacity
120GB / 240GB / 512GB / 1TB / 2TB
Sequential R/W
560/ 510MB/s
Max. Power consumption
3.3V x 310mA
Dimension
80.0(L) x 22.0(W) x 2.15(H) mm
Shock
Operation: 50G/11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A)
Non-operation: 1500G/ 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Non-operation: 1500G/ 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Vibration
Operation: 7.69 Grms, 20~2000 Hz/random (compliant with MIL-STD-810G General)
Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2000 Hz/sine (compliant with MIL-STD-810G General)
Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2000 Hz/sine (compliant with MIL-STD-810G General)
MTBF
> 3 million hours
Storage Temperature
-55°C (-67°F) ~ +95°C (203°F)
Operation Temperature
Wide Temp: -40°C(-40°F) ~ +85°C(185°F)
Humidity
5% ~ 95%
P/E Cycle
3K P/E Cycles
Thermal Sensor
✓
External DRAM Buffer
×
TRIM
✓
S.M.A.R.T.
✓
Warranty
3 years warranty
NOTES：
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
| Capacity | Team P/N |
|---|---|
| 120GB | TE120GS845KM80-W |
| 240GB | TE240GS845KM80-W |
| 512GB | TE512GS845KM80-W |
| 1TB | TE1TS845KM80-W |
| 2TB | TE2TS845KM80-W |
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
