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「單次寫入 多次讀取」技術
(Write Once Read Many, WORM)
D500R Micro SD 採用一次性寫入技術,確保資料永久保存且無法修改或刪除,有效實現資料不可篡改的高安全性存儲,滿足特殊應用需求,適用於需要長期保存的重要資料。
強化資安防護的獨家設計
透過硬體設計及 Firmware 架構,將寫入資料永久鎖定於記憶卡中,有效防止資料儲存後被竄改,為您的重要資料打造最堅實的保護屏障。
穩定耐用的管理技術
- 斷電管理機制 (Power Fail Management)
於突發斷電情況下,提供即時保護機制,確保資料完整無損。 - 壞區管理 (Bad Block Management)
自動偵測並隔離損壞區塊,優化儲存空間使用效率,延長產品壽命,確保穩定可靠的操作體驗。 - 支援 S.M.A.R.T 監控
內建 S.M.A.R.T 軟體監控使用狀況,如資料有人為進行修改或移除,即啟動"警訊"機制。
工業級 MLC 具備穩定性與可靠性
十銓 D500R MSD 採用 MLC NAND FLASH,具備更高的穩定性與耐用性,特別適合長期保存資料的應用使用,如軍警密錄影像存檔、醫療記錄保存以及財務資料存儲等。
Interface
SD 6.1
Flash Type
MLC
Capacity
8GB / 16GB / 32GB / 64GB / 128GB
Sequential R/W
75 / 65 MB/s
Max. Power consumption
3.3V x 170mA
Dimension
15.0(L) x 11.0(W) x 1.0(H) mm
Shock
Operation: 50G / 11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A) Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Vibration
Operation: 7.69 Grms, 20~2,000 Hz / random (compliant with MIL-STD-810G General) Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)
MTBF
> 3 million hours
Storage Temperature
-40°C (-40°F) ~ +85°C (+185°F)
Operation Temperature
-25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)
P/E Cycle
3K
Ingress Protection
IP58
Warranty
3-year limited warranty
NOTES:
本公司保有修改所有樣式及規格權利,不另行通知。
本公司保有修改所有樣式及規格權利,不另行通知。
Capacity | Team P/N |
---|---|
8GB | TE8GD500KMSD-R |
16GB | TE16GD500KMSD-R |
32GB | TE32GD500KMSD-R |
64GB | TE64GD500KMSD-R |
128GB | TE128GD500KMSD-R |
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
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