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「單次寫入 多次讀取」技術
(Write Once Read Many, WORM)
D500R ISD 採用一次性寫入技術，確保資料永久保存且無法修改或刪除，有效實現資料不可篡改的高安全性存儲，滿足特殊應用需求，適用於需要長期保存的重要資料。
強化資安防護的獨家設計
透過硬體設計及 Firmware 架構，將寫入資料永久鎖定於記憶卡中，有效防止資料儲存後被竄改，為您的重要資料打造最堅實的保護屏障。
穩定耐用的管理技術
- 斷電管理機制 (Power Fail Management)
於突發斷電情況下，提供即時保護機制，確保資料完整無損。 - 壞區管理 (Bad Block Management)
自動偵測並隔離損壞區塊，優化儲存空間使用效率，延長產品壽命，確保穩定可靠的操作體驗。 - 支援 S.M.A.R.T 監控
內建 S.M.A.R.T 軟體監控使用狀況，如資料有人為進行修改或移除，即啟動＂警訊＂機制。
工業級 MLC 具備穩定性與可靠性
十銓 D500R ISD 採用 MLC NAND FLASH，具備更高的穩定性與耐用性，特別適合長期保存資料的應用使用，如軍警密錄影像存檔、醫療記錄保存以及財務資料存儲等。
Interface
SD 6.1
Flash Type
MLC
Capacity
8GB / 16GB / 32GB / 64GB / 128GB / 256GB
Sequential R/W
70 / 65 MB/s
Max. Power consumption
3.3V x 180mA
Dimension
32.0(L) x 24.0(W) x 2.1(H) mm
Shock
Operation: 50G / 11ms (compliant with MIL-STD-202G Test condition A) Non-operation: 1,500G / 0.5ms (compliant with MIL-STD-883K Test condition B)
Vibration
Operation: 7.69 Grms, 20~2,000 Hz / random (compliant with MIL-STD-810G General) Non-operation: 4.02 Grms, 15 ~ 2,000 Hz / sine (compliant with MIL-STD-810G General)
MTBF
> 3 million hours
Storage Temperature
-40°C (-40°F) ~ +85°C (+185°F)
Operation Temperature
-25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)
P/E Cycle
3K
Ingress Protection
IP58
Warranty
3-year limited warranty
NOTES：
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
本公司保有修改所有樣式及規格權利，不另行通知。
| Capacity | Team P/N |
|---|---|
| 8GB | TE8GD500KISD-R |
| 16GB | TE16GD500KISD-R |
| 32GB | TE32GD500KISD-R |
| 64GB | TE64GD500KISD-R |
| 128GB | TE128GD500KISD-R |
| 256GB | TE256GD500KISD-R |
檔案名稱
類型
上傳日期
下載
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